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工业用CompactFlash存储卡和RA8系列固态硬盘

时间:2018-08-16 17:14

来源:网络整理作者:采集侠点击:

  TDK公司宣布,将于2008年12月开始销售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工业用CompactFlash(CF)存储卡和兼容并行ATA(PATA)模式的SDG8A系列固态硬盘(SSD),最大容量高达16 Gbyte。

  这些产品将TDK独创的NAND闪存控制器(兼容GBDriver RA8 U.DMA 6)与高速、高频写入单层单元(SLC)NAND闪存相结合,从而打造出业内最先进的NAND闪存卡,在高速性能、耐用性及高可靠性方面迈上了新台阶。

  此外,在高速访问方面,读访问速度高达50 MB/秒,写访问速度高达30 MB/秒;这些产品提供了强大的ECC纠错功能(可达15 bit/扇区),具有较高的数据可靠性。由于大大降低了反复读取数据可能出现误码和写入数据掉电造成数据丢失的风险,这些高可靠性的CF存储卡和SSD将成为工业和嵌入式应用的最佳选择。

  这些产品还采用了TDK研发的先进静态损耗均衡功能,可使数据均匀地写入闪存的所有存储区,极大地提高了CompactFlash存储卡和SSD的写寿命。此外还对SMART(自动监测分析报告技术)进行了改进,可获取TDK所特有的关于各存储块擦写次数的SMART数据,因而能够进行系统量化评估并有助于操作和管理。

  基本规格

  主要用途

  主要用于多功能打印机(MFP)、数控机床设备、程控装置与PLC、工厂自动化触摸工控机、触屏显示系统、嵌入式CPU板、销售点(POS)终端、金融业务终端、ATM机及自助服务机终端、火车站设备、通信与广播设备、安全与火灾检测设备、数字标牌、安全识别系统、成像与其他医疗设备、医用PC、药物熔点(POM)系统、行车记录仪、汽车数据记录器(如数字转速表)、分析与测量仪器,以及其他各种工业设备、医学设备、汽车与嵌入式设备及社会基础设施系统。

  主要特性

  1. 采用独创的TDK GBDriver RA8 NAND闪存控制器IC

  内存控制器IC采用TDK研发的GBDriver RA8系列,确保了CompactFlash和SSD的性能和数据可靠性。通过采用最新的NAND规范和改进控制器设计,TDK提高了NAND闪存盘的性能并确保各闪存版本兼容。这意味着同一个产品系列可满足业界和嵌入式应用的闪存需求,也可作为理想的升级换代成品。

  2. 搭载SLC 闪存

  通过采用高速、耐用的SLC NAND,TDK打造出专为工业用途和嵌入式应用优化的CompactFlash存储卡和闪存盘,适用于高速数据写访问和高频数据写入。还可根据客户需要提供采用多层单元(MLC)闪存的CF存储卡和闪盘。

  3. 高速访问

  兼容PIO模式0–6、多字节DMA模式0–4及Ultra DMA模式0–6。这些高速NAND存储设备支持高达50 MB/秒的读访问速度和高达30 MB/秒的写访问速度。

  4. 对所有块进行静态损耗均衡

  TDK创造了一种全新的静态损耗均衡算法,可计算出所有内存块中各内存块的擦写次数。此外定期对固定块(如OS区和FAT区)进行调整,以尽量延长板载闪存的寿命,这也极大地增加了闪存存储的重写寿命。

  5. 断电耐受性增强

  TDK独创的算法可全面预防并行错误,例如在写数据时发生断电的情况下不让错乱的数据写入。

  6. 纠错和恢复

  通过ECC校验(8 bit/扇区ECC和15 bit/扇区)提供纠错能力,并为将来的NAND闪存预留了空间。控制器可独立选择8 bit/扇区或15 bit/扇区的ECC校验。自动恢复功能包括在反复读取数据时自动纠正位错误(读干扰错误)。

  7. 其他功能

  (a) 簇总数设置功能

  可定制分配给数据区的逻辑块数量。例如,可通过减少数据区逻辑块的数量来提高闪存的可写入次数。反之,如果应用不需要长寿命,可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。可将CHS设为任何值,以便于将其引入现有系统。

  (b) 保护(密码)功能

  采用ATA标准保护功能,用户可设置和取消密码以保护重要数据。

  (c) SMART命令支持

  可通过SMART命令确定所有内存块的数据写入(和擦除)次数,以便于确定NAND闪存状态和相关管理。

  8. 解决方案支持

  TDK自2000年开始自主研发和销售GBDriver系列NAND闪存控制器IC,并依托其先进技术为日本和国外客户提供全面技术支持,包括派遣FAE——现场应用工程师(Field

  Application Engineer)和实施可靠性监控工作,以满足嵌入式系统市场在此方面的强烈需求。

  生产销售计划

  ●生产地点: 台湾

  ●生产能力: 10,000个/月(生产初期)

  ●投产时间: 2008年12月

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